GaN：一项突破性技术

如果独立市场研究结果应验，则GaN产品的销售额将会在2014年超过3亿美元。只有通过主流半导体公司（恩智浦是领头羊）生产GaN，才可能实现这一预测。那么，GaN和RF功率应用到底是什么？简而言之，在大多数应用中，GaN相比Si LDMOS进一步提升效率和功率密度性能。这可在Johnson的优值(FoM)中得到量化——将以Si等于1为基线的显著RF性能变量结合起来，导致GaN的FoM为324。通俗而言，另一种常用的RF复合材料GaA具有1.44的FoM。一言以蔽之，GaN真正代表了一项突破性技术。
偏置

GaN产品被称为高电子迁移率晶体管(HEMT)，这一名称抓住了GaN的一个本质优点：高电子漂移速度。这些晶体管为消耗模式器件，此类器件为常开，无需施加栅偏压。需要负栅偏压以关闭晶体管。此偏置不是直接提供的，但在恩智浦，我们提供解决方案而非仅仅是组件，因为已有久经考验的偏置电路可供使用，并在整个产品使用寿命期间提供持续的应用支持。
高温

GaN更大的优势是，具有能耐受极高温度的极其坚固的结构。恩智浦的GaN晶体管可指定250 °C的最高温度，相比之下，Si LDMOS为225 °C。在如此高温环境下，更需要能够充分利用此特性的封装技术。因此，客户将是恩智浦在RF功率产品领域30年经验的受益者，我们的工业基地能为客户带来极佳的产品可靠性、成本和高度自信的供应链，能做到这些的GaN供应商仅此一家。正如我们所说，GaN因此而成为主流。
第一代恩智浦GaN产品

第一代恩智浦GaN产品将是独一无二的宽带放大器，适用于要求在最高为3.5 GHz的各种频率下具有高RF性能的应用。恩智浦的第一代GaN工艺专为在50V供电电压下工作的产品而设计，可实现一流的效率和线性度。这类产品将使用行业标准的封装大小，使客户能在现有设计中采用恩智浦的产品而无需更改机械设计。恩智浦的新一代GaN器件将会超级高效，为最大的RF功率器件细分市场——蜂窝基站——带来性能上的突破。反过来，此技术会凭借开关模式功率放大器(SMPA)概念打破线性放大器拓扑结构。恩智浦致力于在整个产品范围中充分利用技术，这也将使产品适用于最高为10 GHz的更高频率应用。